產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門(mén)康模塊
- 西門(mén)康IGBT模塊
- 西門(mén)康IGBT智能模塊
- 西門(mén)康大功率模塊
- 西門(mén)康二極管
- 西門(mén)康整流橋
- 西門(mén)康可控硅模塊
- 西門(mén)子IGBT模塊
- 西門(mén)子可控硅
- 西門(mén)子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國(guó)BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無(wú)感電容
- 光耦
- 場(chǎng)效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
英飛凌igbt模塊的注意事項(xiàng)
日期：2025-04-30 17:11
瀏覽次數(shù)：1350
摘要：
由于英飛凌igbt模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：
1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;
2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)...
由于英飛凌igbt模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一?！∫虼耸褂弥幸⒁庖韵聨c(diǎn)：
1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;
2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類(lèi)故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開(kāi)發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)品有西門(mén)康大功率模塊、西門(mén)康模塊、西門(mén)子可控硅等。本企業(yè)堅(jiān)持以誠(chéng)信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅(jiān)定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動(dòng)化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購(gòu)自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！
